Processen med produktion af PV-panelceller, som du ikke kender

Proces: teksturering (INTEX)→diffusion (DIFF)→efterrensning (skæring/fjernelse af PSG)→antirefleksbelægning (PECVD)→screening, sintring (PRINTER)→testning, sortering (TESTER+SORTER)→emballering (PAKNING)

Formålet med teksturering er at danne en tekstureret overflade på overfladen af ​​siliciumwaferen for at reducere cellens reflektionsevne. Ujævnheden af ​​den teksturerede overflade kan øge sekundær refleksion og ændre den optiske vej og indfaldstilstand. Normalt behandles enkeltkrystaller med alkali for at opnå pyramideformet ruskind; polykrystaller behandles med syre for at opnå ormehulsformet tilfældigt ruskind. Forskellen i forarbejdningsmetoder er hovedsageligt i karakteren af ​​enkelt polykrystallinsk
Teknologisk proces: kashmirtank→vandvask→vandvask→syrevask→vandvask→tørring.
Generelt betragtes silicium som ikke-reaktivt med HF og HNO3 (siliciumoverfladen vil passiveres) Når det er til stede i systemet af to blandede syrer, er reaktionen af ​​silicium med den blandede opløsning kontinuerlig.

Diffusion er at lave batteriets hjerte, og det er at lave P-N krydset for batteriet POCl3 er det nuværende valg til fosfordiffusion. POCl3 er en flydende fosforkilde, og diffusionen af ​​den flydende fosforkilde har fordelene ved at høj produktionseffektivitet, god stabilitet, en ensartet og glat PN-forbindelse og en god overflade af diffusionslaget.
POCl3 nedbrydes ved temperaturer over 600°C for at danne phosphorpentachlorid (PCl5) og phosphorpentoxid (P2O5). PCl5 er skadeligt for overfladen af ​​siliciumwafers. I nærvær af oxygen (O2) nedbrydes PCl5 til P2O5 og frigiver klor gas Derfor indføres en kontrolleret strøm af ilt, mens nitrogen spredes.
Ved diffusionstemperaturen reagerer P2O5 med silicium for at producere siliciumdioxid (SiO2) og fosfor atomer. Den resulterende P2O5 aflejres på silicium waferens overflade og fortsætter med at reagere med silicium og danner yderligere SiO2 og fosfor atomer. Denne proces fører til dannelse af phosphor-silikatglas (PSG) på siliciumwaferens overflade.
Fosforatomer diffunderer ind i silicium, hvilket resulterer i dannelsen af ​​en N-type halvleder.

Under diffusionsprocessen anvendes den ryg-til-ryg enkeltsidede diffusionsmetode, hvilket fører til diffusion af fosforatomer på siden og bagkanten af ​​siliciumwaferen.
Når sollys er til stede, strømmer elektronerne genereret af lys og opsamlet på forsiden af ​​PN-forbindelsen til bagsiden gennem det område, hvor fosfor spredes langs kanten, hvilket forårsager en kortslutning.
Kortslutning af kanalen reducerer den parallelle modstand.
Ætseprocessen sigter mod at fjerne fosfordelen på kanten af ​​siliciumwaferen for at forhindre en kortslutning af P-N-forbindelsen og reducere den parallelle modstand.
Vådætsningsproces: filmpåfyldning → ætsetank (H2SO4 HNO3 HF) → vandvask → alkalibad (KOH) → vandvask → HF-bad → vandvask → filmfjernelse
HNO3 reagerer og oxiderer for at producere SiO2, mens HF bruges til at fjerne SiO2. Alkalitankætsningsprocessen tjener til at udglatte den uteksturerede overflade og gøre den ensartet. Den primære opløsning, der bruges i alkalitanken er KOH. H2SO4 bruges til at lette m ovation af siliciumwafers på samlebåndet og deltager ikke i reaktionen.
Tørætsning refererer til tyndfilmætsning ved hjælp af plasma.Når gassen er i plasmatilstand, bliver den mere kemisk aktiv.
Ved at vælge en passende gas kan siliciumwaferen reagere hurtigt og gennemgå ætsning. Derudover bruges det elektriske felt til at styre og accelerere plasmaet, hvilket giver det energi. Når siliciumwaferens overflade bombarderes, løsnes siliciummaterialets atomer. , opnåelse af ætsning gennem overførsel af fysisk energi.

Plasma Chemical Vapor Deposition (PCVD) er en proces, der bruges til at afsætte en tynd film på overfladen af ​​silicium. Når sollys rammer siliciumoverfladen, bliver omkring 35 % af det reflekteret. For at forbedre solcellens absorption af sollys, en anti -reflektionsfilm påføres. Denne film øger den fotogenererede strøm, hvilket fører til højere konverteringseffektivitet. Derudover passerer filmen indeholdende brint celleoverfladen, hvilket reducerer overfladerekombination ved emitterforbindelsen. Dette sænker den mørke strøm, øger det åbne kredsløb spænding, og forbedrer den overordnede fotoelektriske konverteringseffektivitet. Brint i filmen kan reagere med defekter eller urenheder i silicium. Denne reaktion flytter energi fra det forbudte bånd til valensbåndet eller ledningsbåndet.
I et vakuummiljø ved en temperatur på 480 grader Celsius påføres et lag SixNy-film på overfladen af ​​siliciumwaferen ved hjælp af en grafitbåd som leder.

Enkelt sagt går processen ud på at opsamle strøm og skabe elektroder til solceller. Først påføres en sølvelektrode på bagsiden af ​​cellen, efterfulgt af udskrivning og tørring af et bagsidefelt af aluminium. Derefter printes en forreste sølvelektrode med fokus på styring af vådvægten og bredden af ​​undergitteret.
jegHvis vådvægten af ​​det andet trin er for høj, fører det til spild af gyllen og utilstrækkelig tørring, før det går ind i højtemperaturzonen, hvilket kan resultere i, at det organiske stof bliver tilbage i gyllen, hvilket forhindrer den fuldstændige omdannelse til metalaluminium.
For høj vægt kan også medføre, at solcellen bliver buet efter sintring. Hvis vådvægten er for lav, forbruges al aluminiumspastaen under sintringen. Dette danner et legeringsområde med silicium, der ikke er egnet til rygmetalkontakt. Dette pga. Den laterale ledningsevne og loddeevne er dårlig. Derudover kan det forårsage buler eller andre udseendedefekter.
Hvis bredden af ​​den tredje gitterlinje er for bred, reducerer det det lysmodtagende område af cellen og reducerer effektiviteten.
Trykmetode: fysisk trykning, tørring

Sintring er processen med opvarmning af elektroden trykt på cellens overflade ved høj temperatur. Dette hjælper elektroden og siliciumchippen med at danne god elektrisk kontakt, hvilket forbedrer cellens åbne kredsløbsspænding og fyldningsfaktor. Det sikrer også, at elektroden har lav modstand , hvilket fører til høj konverteringseffektivitet.
Sintring hjælper med at lette diffusionen af ​​brint ind i PECVD-processen.Denne effektive passivering af cellen er en ekstra fordel.
Den anvendte sintringsmetode er hurtig sintring ved høj temperatur, og opvarmningen opnås ved infrarød opvarmning.
Sintring er en omfattende proces af diffusion, flow og fysiske og kemiske reaktioner. Det forreste Ag diffunderer ind i silicium gennem SiNH, men kan ikke nå P-N overfladen, og bagsiden Ag og Al diffunderer ind i silicium. På grund af behovet for at danne en legering kræves en vis temperatur Ag, stabiliteten af ​​legeringer dannet af Al og Si er forskellig, så det er nødvendigt at indstille forskellige temperaturer for at opnå henholdsvis legering.

Siden 2008 har Mosaic Solar fokuseret på produktionen af ​​forskellige solcellemoduler, og vi leverer en række glasmoduler med PERC-teknologi, som du kan vælge.

Vælg Mosaic Solar, fordi vi har højkvalitets solpanelteknologi til at opfylde dine behov, kontakt os venligst og skab en grøn fremtid sammen!